| |

南昌高新微电子科技园项目

南昌高新投资集团有限公司  2018-05-29 


项目概况:项目位于南昌高新区天祥大道以南、学苑六路以西。项目总建筑面积约7.5万平方米,占地面积76亩,总投资约10亿元。其中项目一期建设面积约4.28万平方米,占地面积58亩,投资建设标准厂房及配套设施等。

项目定位:将在南昌高新区建设具有完整知识产权(IP)的FBAR射频滤波芯片生产项目,致力于将南昌高新区打造成为中国的微机电系(MEMS)研发及产业制造中心。

开竣工时间:2017年4月-2018年12月

南昌高新投资集团有限公司宣传部

南昌高新投资集团有限公司

赣ICP备18003492号-1 ©Copyright 2018 www.ncgtjt.com/All Rights Reserved

技术支持:南昌网络公司 珠峰科技

扫码关注我们

微信公众号

微网站

手机访问网站